Вы здесь

Главная

ГОСТ 20859.1-89


ГОСТ 20859.1-89

Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования

Обозначение: ГОСТ 20859.1-89
Название рус.: Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Название англ.: Power semiconductor devices. General technical requirements
Дата введения в действие: 1990-01-01
Взамен ГОСТ 20859.1-79
Заменяющий в части ГОСТ 30617-98 в части модулей
Область и условия применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.

Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:

1) в средах с токопроводящей пылью;

2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;

3) во взрывоопасной среде;

4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
Ссылка на скачивание появится через 15 секунд.

Все материалы и ссылки, расположенные на сайте, размещены исключительно в ознакомительных и образовательных целях посетителей сайта. 
Владельцы сайта не несут ответственности за их достоверность и содержание.

Все замечания и предложения можно отправлять на